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CASE

    碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关 ...

    2023年9月27日  碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理. 近年来,随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长,硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显,如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀 碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关 ...2023年9月27日  碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理. 近年来,随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长,硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显,如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀

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    2023年全球及中国碳化硅(SiC)行业现状及发展趋势分析 ...

    2023年12月6日  华经产业研究院通过对中国碳化硅行业海量数据的搜集、整理、加工,全面剖析行业总体市场容量、竞争格局、市场供需现状及行业典型企业的产销运营分析,并根 2023年全球及中国碳化硅(SiC)行业现状及发展趋势分析 ...2023年12月6日  华经产业研究院通过对中国碳化硅行业海量数据的搜集、整理、加工,全面剖析行业总体市场容量、竞争格局、市场供需现状及行业典型企业的产销运营分析,并根

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    碳化硅行业发展现状和上下游产业链分析 - 报告精读 - 未来智库

    2024年4月1日  碳化硅(SiC),以其卓越的物理和化学特性,在材料科学领域中占有举足轻重的地位。. 随着科技的不断进步,碳化硅的应用领域不断拓宽,从传统的磨料、耐火材 碳化硅行业发展现状和上下游产业链分析 - 报告精读 - 未来智库2024年4月1日  碳化硅(SiC),以其卓越的物理和化学特性,在材料科学领域中占有举足轻重的地位。. 随着科技的不断进步,碳化硅的应用领域不断拓宽,从传统的磨料、耐火材

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    碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关 ...

    2023年9月27日  该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备,可加工晶锭直径兼容6寸、8寸,最大加工长度300mm,对比砂浆切割提升1倍以上产能,出片率较 碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关 ...2023年9月27日  该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备,可加工晶锭直径兼容6寸、8寸,最大加工长度300mm,对比砂浆切割提升1倍以上产能,出片率较

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    2022年 中国SiC碳化硅器件行业 深度研究报告 - East Money ...

    国家持续出台相关政策支持第三代半导体发展,2016 年7 月, 国务院《 关于印发“ 十三五” 国家科技创新规划的通知》 明确发展第三代半导体芯片;2019 年11 月工信部将第三代半导体 2022年 中国SiC碳化硅器件行业 深度研究报告 - East Money ...国家持续出台相关政策支持第三代半导体发展,2016 年7 月, 国务院《 关于印发“ 十三五” 国家科技创新规划的通知》 明确发展第三代半导体芯片;2019 年11 月工信部将第三代半导体

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    【最全】2024年中国碳化硅行业上市公司全方位对比(附业务 ...

    2024年6月1日  从各个企业碳化硅业务情况来看,多家企业从事碳化硅衬底的生产制造,摆阔天岳先进、东尼电子、露笑科技、新洁能等,华润微则从事碳化硅器件生产,斯达半导 【最全】2024年中国碳化硅行业上市公司全方位对比(附业务 ...2024年6月1日  从各个企业碳化硅业务情况来看,多家企业从事碳化硅衬底的生产制造,摆阔天岳先进、东尼电子、露笑科技、新洁能等,华润微则从事碳化硅器件生产,斯达半导

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    碳化硅行业深度报告:新材料定义新机遇,SiC引领

    2022年10月9日  对于碳化硅行业来说,目前衬底、器件制造产能受限是行业的主要瓶颈。一块 碳化硅外延片制造过程主要包括:籽晶制造、晶棒制造、切片抛光、外延层生长四 个部分,各个环节的长晶速率、良率等均有较 碳化硅行业深度报告:新材料定义新机遇,SiC引领 2022年10月9日  对于碳化硅行业来说,目前衬底、器件制造产能受限是行业的主要瓶颈。一块 碳化硅外延片制造过程主要包括:籽晶制造、晶棒制造、切片抛光、外延层生长四 个部分,各个环节的长晶速率、良率等均有较

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    碳化硅设备行业深度报告:多技术并行,衬底切片设

    2023年4月26日  近 10 年逐渐兴起,具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性,全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限, 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业, 碳化硅设备行业深度报告:多技术并行,衬底切片设 2023年4月26日  近 10 年逐渐兴起,具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性,全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限, 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业,

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    碳化硅:半导体材料的未来与激光加工的新机遇 - RF技术社区

    2024年2月2日  在当今的高科技领域,碳化硅作为一种性能优异的第三代半导体材料,正逐渐成为新一代电子工业设备的核心。 其独特的物理、化学和光学特性,使其在航空航天 碳化硅:半导体材料的未来与激光加工的新机遇 - RF技术社区2024年2月2日  在当今的高科技领域,碳化硅作为一种性能优异的第三代半导体材料,正逐渐成为新一代电子工业设备的核心。 其独特的物理、化学和光学特性,使其在航空航天

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    中国碳化硅的2024,是未来也是终局_澎湃号湃客_澎

    2022年8月26日  下图展示了碳化硅衬底的全球竞争格局。资料来源:Wolfspeed 碳化硅衬底还是典型的资本密集型行业,长晶过程需要大量的长晶炉。碳化硅长的实在是太慢,一个月才能长2cm,一台炉子一年只 中国碳化硅的2024,是未来也是终局_澎湃号湃客_澎 2022年8月26日  下图展示了碳化硅衬底的全球竞争格局。资料来源:Wolfspeed 碳化硅衬底还是典型的资本密集型行业,长晶过程需要大量的长晶炉。碳化硅长的实在是太慢,一个月才能长2cm,一台炉子一年只

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    从粉体到结构件,看碳化硅陶瓷的实际应用 - 艾邦半导体网

    为加强碳化硅陶瓷行业上下游交流联动,艾邦建有碳化硅陶瓷产业群,欢迎产业链上下游企业扫码加入。 碳化硅粉体主要类型有:碳化硅陶瓷件超高纯粉体、第三代半导体碳化硅单晶专用的多晶粉体(包括导电型和半绝缘型),还有热管理材料导热填料。 从粉体到结构件,看碳化硅陶瓷的实际应用 - 艾邦半导体网为加强碳化硅陶瓷行业上下游交流联动,艾邦建有碳化硅陶瓷产业群,欢迎产业链上下游企业扫码加入。 碳化硅粉体主要类型有:碳化硅陶瓷件超高纯粉体、第三代半导体碳化硅单晶专用的多晶粉体(包括导电型和半绝缘型),还有热管理材料导热填料。

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    碳化硅行业深度报告:新材料定义新机遇,SiC引领

    2022年10月9日  碳化硅在射频、功率器件领域应用广泛,市场增长空间广阔。. 根据碳化硅行业 全球龙头厂商 Wolfspeed 的预测,受新能源汽车及发电、电源设备、射频器件等 需求驱动,2026 年碳化硅器件市场规模有望达 碳化硅行业深度报告:新材料定义新机遇,SiC引领 2022年10月9日  碳化硅在射频、功率器件领域应用广泛,市场增长空间广阔。. 根据碳化硅行业 全球龙头厂商 Wolfspeed 的预测,受新能源汽车及发电、电源设备、射频器件等 需求驱动,2026 年碳化硅器件市场规模有望达

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    应用在碳化硅(三代半)领域的超快激光的进口替代_加工 ...

    2024年5月6日  华日还在碳化硅加工中实施引切工艺,有效减少了碳化硅材料的浪费,并且通过层次工艺和细小光斑的应用,实现了边缘光滑无损伤的分片过程。在先进封装IGBT领域,华日利用超快激光器进行了一些替代FIB的工作,提升了分析效率。在充电行业方面,华日 应用在碳化硅(三代半)领域的超快激光的进口替代_加工 ...2024年5月6日  华日还在碳化硅加工中实施引切工艺,有效减少了碳化硅材料的浪费,并且通过层次工艺和细小光斑的应用,实现了边缘光滑无损伤的分片过程。在先进封装IGBT领域,华日利用超快激光器进行了一些替代FIB的工作,提升了分析效率。在充电行业方面,华日

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    碳化硅:半导体材料的未来与激光加工的新机遇 - RF技术社区

    2024年2月2日  在当今的高科技领域,碳化硅作为一种性能优异的第三代半导体材料,正逐渐成为新一代电子工业设备的核心。其独特的物理、化学和光学特性,使其在航空航天、新能源汽车等行业得到广泛应用。尤其在新能源汽车行业,随着预估2025年中国新能源汽车年产近600万辆,对碳化硅芯片的需求量也将 ... 碳化硅:半导体材料的未来与激光加工的新机遇 - RF技术社区2024年2月2日  在当今的高科技领域,碳化硅作为一种性能优异的第三代半导体材料,正逐渐成为新一代电子工业设备的核心。其独特的物理、化学和光学特性,使其在航空航天、新能源汽车等行业得到广泛应用。尤其在新能源汽车行业,随着预估2025年中国新能源汽车年产近600万辆,对碳化硅芯片的需求量也将 ...

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    碳化硅衬底切割行业分析报告:8英寸碳化硅衬底的历史机遇 ...

    2023年4月28日  碳化硅衬底的制备首先由高纯硅、碳粉在高温下合成 SiC 微粉后,通过 物理气相沉积法(PVT)生长成为晶锭,之后加工得到标准直径尺寸的 碳化硅晶体,再经过切磨抛工艺获得表面无损伤的碳化硅抛光片。2.1.1.原料合成 碳化硅衬底切割行业分析报告:8英寸碳化硅衬底的历史机遇 ...2023年4月28日  碳化硅衬底的制备首先由高纯硅、碳粉在高温下合成 SiC 微粉后,通过 物理气相沉积法(PVT)生长成为晶锭,之后加工得到标准直径尺寸的 碳化硅晶体,再经过切磨抛工艺获得表面无损伤的碳化硅抛光片。2.1.1.原料合成

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    碳化硅行业发展现状和上下游产业链分析 - 报告精读 - 未来智库

    2024年4月1日  碳化硅行业的上下游产业链涵盖了原材料供应、制备加工、应用开发等多个环节,形成了一条完整的产业链条。. 上游环节主要是原材料的供应。. 碳化硅的主要原材料包括硅砂、碳源、添加剂等。. 这些原材料的质量和价格直接影响到碳化硅材料的性能和成本 碳化硅行业发展现状和上下游产业链分析 - 报告精读 - 未来智库2024年4月1日  碳化硅行业的上下游产业链涵盖了原材料供应、制备加工、应用开发等多个环节,形成了一条完整的产业链条。. 上游环节主要是原材料的供应。. 碳化硅的主要原材料包括硅砂、碳源、添加剂等。. 这些原材料的质量和价格直接影响到碳化硅材料的性能和成本

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    碳化硅“狂飙”:追赶、内卷、替代Focus_

    2023年7月14日  来源 半导体行业观察碳化硅全产业链提速作为第三代半导体材料,碳化硅相较于硅材料,具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点,适合制造高温、高压、高频、大功率的器件。当前从光伏到新能源汽车,碳化硅下游市场需求旺盛,特别是随着电动汽车和新 ... 碳化硅“狂飙”:追赶、内卷、替代Focus_2023年7月14日  来源 半导体行业观察碳化硅全产业链提速作为第三代半导体材料,碳化硅相较于硅材料,具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点,适合制造高温、高压、高频、大功率的器件。当前从光伏到新能源汽车,碳化硅下游市场需求旺盛,特别是随着电动汽车和新 ...

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    碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网

    1 天前  本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工 技术为目的,综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技 术的进展. 根据去除机理的不同,划分并总结现有磨 抛技术的特点:传统机械磨抛拥有较高的材料去除 率,但是其加工质量较差,且损伤严重;而化学腐蚀 反应磨 ... 碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网1 天前  本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工 技术为目的,综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技 术的进展. 根据去除机理的不同,划分并总结现有磨 抛技术的特点:传统机械磨抛拥有较高的材料去除 率,但是其加工质量较差,且损伤严重;而化学腐蚀 反应磨 ...

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    碳化硅陶瓷在半导体行业中的应用 - 百家号

    2024年4月8日  碳化硅陶瓷是半导体材料,具有高强度、高硬度、高耐磨性等特点。其导电性来源于晶体结构中的缺陷和非晶态区域。陶瓷雕铣机可实现碳化硅陶瓷的高精度加工,满足半导体行业对高强度、高密度结构件的需求。 碳化硅陶瓷在半导体行业中的应用 - 百家号2024年4月8日  碳化硅陶瓷是半导体材料,具有高强度、高硬度、高耐磨性等特点。其导电性来源于晶体结构中的缺陷和非晶态区域。陶瓷雕铣机可实现碳化硅陶瓷的高精度加工,满足半导体行业对高强度、高密度结构件的需求。

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    碳化硅:渗透新能源车半壁江山 第三代半导体百亿级市场 ...

    2024年2月28日  碳化硅时代来临,第三代半导体技术成为后摩尔时代半导体行业发展的重点方向之一。碳化硅材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,广泛应用于新能源汽车、光伏、轨道交通等领域。 碳化硅:渗透新能源车半壁江山 第三代半导体百亿级市场 ...2024年2月28日  碳化硅时代来临,第三代半导体技术成为后摩尔时代半导体行业发展的重点方向之一。碳化硅材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,广泛应用于新能源汽车、光伏、轨道交通等领域。

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    磨床行业研究:为精加工而生,丝杠、钛合金、碳化硅催化 ...

    2024年1月3日  投资建议. 磨床为精加工而生,赛道高壁垒国产替代空间较大。. 当前国内磨床具有一定技术积累,在丝杠、钛合金、碳化硅下游需求多点催化背景下国产替代有望加速,建议关注华辰装备(丝杠磨床)、宇环数控(钛合金磨床、碳化硅磨床)、日发精机(丝杠 ... 磨床行业研究:为精加工而生,丝杠、钛合金、碳化硅催化 ...2024年1月3日  投资建议. 磨床为精加工而生,赛道高壁垒国产替代空间较大。. 当前国内磨床具有一定技术积累,在丝杠、钛合金、碳化硅下游需求多点催化背景下国产替代有望加速,建议关注华辰装备(丝杠磨床)、宇环数控(钛合金磨床、碳化硅磨床)、日发精机(丝杠 ...

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    碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关 ...

    2023年9月27日  该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备,可加工晶锭直径兼容6寸、8寸,最大加工长度300mm,对比砂浆切割提升1倍以上产能,出片率较竞品提升5%以上,截至2023年7月,已在行业形成销售。GC-SCDW8300型碳化硅切片机可以提升 碳化硅(SiC)行业深度:市场空间、未来展望、产业链及相关 ...2023年9月27日  该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备,可加工晶锭直径兼容6寸、8寸,最大加工长度300mm,对比砂浆切割提升1倍以上产能,出片率较竞品提升5%以上,截至2023年7月,已在行业形成销售。GC-SCDW8300型碳化硅切片机可以提升

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    碳化硅发展趋势、难点痛点以及国内产业链解析 - 百度文库

    碳化硅发展趋势、难点痛点以及国内产业链解析. 碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。. 可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。. 特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集 ... 碳化硅发展趋势、难点痛点以及国内产业链解析 - 百度文库碳化硅发展趋势、难点痛点以及国内产业链解析. 碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。. 可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。. 特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集 ...

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    投投是道 碳化硅行业得衬底者得天下! ——天科合达助力 ...

    2024年3月12日  来源:昆仑信托. 投投是道. 碳化硅行业得衬底者得天下!. 天科合达助力集团新能源产业腾飞. 根据国内碳化硅衬底龙头企业--北京天科合达半导体 ... 投投是道 碳化硅行业得衬底者得天下! ——天科合达助力 ...2024年3月12日  来源:昆仑信托. 投投是道. 碳化硅行业得衬底者得天下!. 天科合达助力集团新能源产业腾飞. 根据国内碳化硅衬底龙头企业--北京天科合达半导体 ...

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    碳化硅行业研究报告:多应用驱动供给缺口巨大,加速国产替代

    2022年8月17日  碳化硅功率器件替代优势明显,在高压高功率领域性能强劲。功率器件是电力电 子行业的重要基础元器件之一,作用是实现对电能的处理、转换和控制,主要包 括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等。 碳化硅行业研究报告:多应用驱动供给缺口巨大,加速国产替代2022年8月17日  碳化硅功率器件替代优势明显,在高压高功率领域性能强劲。功率器件是电力电 子行业的重要基础元器件之一,作用是实现对电能的处理、转换和控制,主要包 括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等。

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    碳化硅技术:未来市场与应用前景展望_中国复合材料工业 ...

    2024年1月31日  我国碳化硅单晶衬底材料长期 依赖进口,其高昂的售价和不稳定的供货情况大大 限制了国内相关行业的发展。 目前,中国有碳化硅 冶炼企业200多家,年生产能力220多万吨(其中:绿碳化硅块120多万吨,黑碳化硅块约100万吨);加工制砂、微粉生产企业300多家,年生产能力200多万吨 ,国内碳化硅 ... 碳化硅技术:未来市场与应用前景展望_中国复合材料工业 ...2024年1月31日  我国碳化硅单晶衬底材料长期 依赖进口,其高昂的售价和不稳定的供货情况大大 限制了国内相关行业的发展。 目前,中国有碳化硅 冶炼企业200多家,年生产能力220多万吨(其中:绿碳化硅块120多万吨,黑碳化硅块约100万吨);加工制砂、微粉生产企业300多家,年生产能力200多万吨 ,国内碳化硅 ...

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    碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星 - 腾讯网

    2023年4月17日  以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合成碳化硅粉,在特殊温场下生长不同尺寸的碳化硅晶锭, 再经过多道加工工序产出碳化硅衬底。核心工艺流程包括: 原料合成:将高纯的硅粉+碳粉按配方混合,在 2000°C 以上的高温条件下于反应 腔室内进行反应,合成特定晶型和颗粒度的碳化硅颗粒。 碳化硅行业专题分析:第三代半导体之星 - 腾讯网2023年4月17日  以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合成碳化硅粉,在特殊温场下生长不同尺寸的碳化硅晶锭, 再经过多道加工工序产出碳化硅衬底。核心工艺流程包括: 原料合成:将高纯的硅粉+碳粉按配方混合,在 2000°C 以上的高温条件下于反应 腔室内进行反应,合成特定晶型和颗粒度的碳化硅颗粒。

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    半导体行业系列专题(二)之碳化硅: 衬底产能持续扩充 ...

    2024年1月10日  SiC晶体生长慢且加工难,提升良率和产能是控制成本的关键。SiC器件成本是Si器件的3倍左右,是制约SiC行业快速发展的核心因素之一,造成该问题的 主要原因在于SiC长晶速度缓慢且加工难度大,从原材料到晶圆转换率仅为50%。 半导体行业系列专题(二)之碳化硅: 衬底产能持续扩充 ...2024年1月10日  SiC晶体生长慢且加工难,提升良率和产能是控制成本的关键。SiC器件成本是Si器件的3倍左右,是制约SiC行业快速发展的核心因素之一,造成该问题的 主要原因在于SiC长晶速度缓慢且加工难度大,从原材料到晶圆转换率仅为50%。

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    碳化硅精密陶瓷(高级陶瓷)京瓷 - KYOCERA

    可从丰富的材料及卓越的特性中任意选择,京瓷精密陶瓷的机械特性-碳化硅的特性选择页面。 (机加工)精度 采用京瓷独有的工艺可实现超高精度。机加工精度受形状和材料影响。 碳化硅精密陶瓷(高级陶瓷)京瓷 - KYOCERA可从丰富的材料及卓越的特性中任意选择,京瓷精密陶瓷的机械特性-碳化硅的特性选择页面。 (机加工)精度 采用京瓷独有的工艺可实现超高精度。机加工精度受形状和材料影响。

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